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TiAl和TiPtAu栅GaAs MESFET可靠性实验研究

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在高温和大栅电流下，我们对TiAl栅和TiPtAu栅MESFETs性能退化进行了比较研究。

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来源
《第八届全国可靠性物理学术讨论会》|1999年|103-107|共5页
会议地点嘉峪关
作者
张万荣; 李志国; 孙英华; 程尧海; 陈建新; 沈光地;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
GaAs MESFET性能可靠性; 退化; 微波高速通讯系统; 电子器件;

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