GaAsMMIC双栅MESFET混频器设计与实验研究

孙晓玮; 程知群; 夏冠群; 李洪芹; 翁建华

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对微波单片集成 (简称 MMIC)双栅 MESFET混频器的设计理论和工艺技术进行较为细致的研究。根据双栅 MESFET的理论分析与实验结果 ,建立了一种栅压调制 I- V特性的经验模型 ,推导了双栅 FET混频器变频增益公式。分析了栅压对改变非线性跨导在混频器中的作用。最后设计并加工出了芯片面积为 0 .75 mm× 1 .5 mm Ga As MMIC双栅 FET混频器。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2000年第2期|128-134|共7页
作者
孙晓玮; 程知群; 夏冠群; 李洪芹; 翁建华;
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作者单位

中国科学院上海冶金研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类变频器、混频器;
关键词
砷化镓; 微波单片集成电路; 场效应晶体管; 混频器;

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