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多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法

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本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。

著录项

公开/公告号CN111430458A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-17

原文格式PDF
申请/专利权人上海航天测控通信研究所;
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申请/专利号CN202010349428.2
发明设计人化宁;王真昊;沈亚飞;王佳;章泉源;杜祥裕;王茂森;高翔;姚崇斌;黄硕;麻仕豪;
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申请日2020-04-28
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构31236 上海汉声知识产权代理有限公司;
代理人贺姿;胡晶
地址 201109 上海市闵行区中春路1777号
入库时间 2023-12-17 11:11:41

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20200428

实质审查的生效
2020-07-17

公开

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